| BIOS内存设置全面优化 |
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作者：网络 文章来源：网络 点击数： 更新时间：2005-4-16  |
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SDRAM Cycle Time Tras/Trc（内存Tras/Trc时钟周期）可选项：5/7，7/9。该参数用于确定SDRAM内存行激活时间和行周期时间的时钟周期数。Tras代表SDRAM行激活时间（Row Active Time），它是为进行数据传输而开启行单元所需要的时钟周期数。Trc代表SDRAM行周期时间（Row Cycle Time），它是包括行单元开启和行单元刷新在内的整个过程所需要的时钟周期数。出于最佳性能考虑可将该参数设为5/7，这时内存的速度较快，但有可能出现因行单元开启时间不足而影响数据传输的情况，在SDRAM内存的工作频率高于100MHz时尤其是这样，即使是品牌内存大多也承受不了如此苛刻的设置。
SDRAM RAS-TO-CAS Delay（内存行地址传输到列地址的延迟时间）可选项：2，3。该参数可以控制SDRAM行地址选通脉冲（RAS，Row Address Strobe）信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟。对SDRAM进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。出于最佳性能考虑可将该参数设为2，如果系统无法稳定运行则可将该参数设为3。（^23030501a^）
SDRAM RAS Precharge Time（内存行地址选通脉冲预充电时间）可选项：2，3。该参数可以控制在进行SDRAM刷新操作之前行地址选通脉冲预充电所需要的时钟周期数。将预充电时间设为2可以提高SDRAM的性能，但是如果2个时钟周期的预充电时间不足，则SDRAM会因无法正常完成刷新操作而不能保持数据。
Memory Hole At 15M-16M（位于15M～16M的内存保留区）可选项： Disabled，Enabled。一些特殊的ISA扩展卡的正常工作需要使用位于15M～16M的内存区域，该参数设为Enabled就将该内存区域保留给此类ISA扩展卡使用。由于PC’99规范已不再支持ISA扩展槽，所以新型的主板一般都没有ISA插槽，因而应将该参数设为Disabled上一页 [1] [2] [3] [4] [5] [6] 下一页
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| 文章录入：小秦 责任编辑：小秦 |
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